半导体中的三氧化二铝

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半导体中的三氧化二铝

˙△˙ 半导体中的三氧化二铝半导体、光伏等行业,其中可应用于光通信行业的产品有二氧化硅、五氧化二钽、五氧化三钛等,其中可应用于5G通信产品有氧化钽、金属钽、金属铪等,可应用于存储芯片的产品有铜、钛、钽、铝铜等。公司产品覆盖高纯金属、各类合金、氧化物和化合物等,也可根据下游客户的需要定小发猫。

三星电子株式会社申请一项名为“电容器结构和包括该电容器结构的半导体器件“公开号CN117747599A,申请日期为2023年9月。专利摘要显示,一种电容器结构包括:下电极结构,设置在衬底上,该下电极结构包括具有4个价电子的第一金属的氧化物,并且掺杂有具有3、5、6或7个价电子等我继续说。

半导体器件的制备过程采用特殊工艺生产的电子级氟化氢进行蚀刻和清洗,本申请的电子级氟化氢,利用亚氟/氟气协同氧化效应结合超重力氧化反应/分离耦合强化技术,将原料中杂质离子深度氧化,显著降低杂质离子含量。根据工业试验结果,采用本发明的系统和方法生产得到的电子级氢氟等我继续说。